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IGT65R025D2XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | CHF 11.690 |
| 50+ | CHF 10.520 |
| 100+ | CHF 9.780 |
| 250+ | CHF 9.580 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT65R025D2XTMA1
Bestellnummer4640393RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Gate-Ladung, typ.11nC
Anzahl der Pins8Pin(s)
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
70A
Gate-Ladung, typ.
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung