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IGT65R025D2XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT65R025D2XTMA1
Bestellnummer4640393
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Technisches Datenblatt
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1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 15.280 |
| 5+ | CHF 13.390 |
| 10+ | CHF 11.690 |
| 50+ | CHF 10.520 |
| 100+ | CHF 9.780 |
| 250+ | CHF 9.580 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 15.28 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT65R025D2XTMA1
Bestellnummer4640393
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id70A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Gate-Ladung, typ.11nC
Bauform - TransistorHSOF
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Bauform - Transistor
HSOF
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
70A
Gate-Ladung, typ.
11nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung