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SIZF4412DT-T1-GE3
Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 77.1 A, 0.0053 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.840 |
| 500+ | CHF 0.692 |
| 1000+ | CHF 0.625 |
| 5000+ | CHF 0.617 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZF4412DT-T1-GE3
Bestellnummer4644747RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal77.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0053ohm
Anzahl der Pins12Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal56.8W
Betriebstemperatur, max.150°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0053ohm
Verlustleistung, n-Kanal
56.8W
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
77.1A
Anzahl der Pins
12Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung