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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZF4412DT-T1-GE3
Bestellnummer4644747
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 1.240 |
10+ | CHF 1.010 |
100+ | CHF 0.840 |
500+ | CHF 0.692 |
1000+ | CHF 0.625 |
5000+ | CHF 0.617 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIZF4412DT-T1-GE3
Bestellnummer4644747
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal77.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0053ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorPowerPAIR 3 x 3FS
Anzahl der Pins12Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal56.8W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen IV Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
12Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
77.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0053ohm
Bauform - Transistor
PowerPAIR 3 x 3FS
Verlustleistung, n-Kanal
56.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung