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SIA427ADJ-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 100+ | CHF 0.289 |
| 500+ | CHF 0.221 |
| 1500+ | CHF 0.202 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA427ADJ-T1-GE3
Bestellnummer2889709
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds8V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.800mV
Verlustleistung19W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
19W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
800mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIA427ADJ-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.025