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SIA427ADJ-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 8 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Montage en surface
6’805 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.574 |
| 50+ | CHF 0.418 |
| 100+ | CHF 0.289 |
| 500+ | CHF 0.221 |
| 1500+ | CHF 0.202 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA427ADJ-T1-GE3
Code Commande2889709
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds8V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.016ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SC-70
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max800mV
Dissipation de puissance19W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SC-70
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
19W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
8V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.016ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
800mV
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.025