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SI4463CDY-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 2500+ | CHF 0.337 |
| 7500+ | CHF 0.327 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 2500
Mehrere: 2500
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4463CDY-T1-GE3
Bestellnummer4320186
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id18.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.006ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.600mV
Verlustleistung5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18.6A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.006ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
600mV
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für SI4463CDY-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001588
Produktnachverfolgung