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SI4447ADY-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.671 |
| 10+ | CHF 0.470 |
| 100+ | CHF 0.321 |
| 500+ | CHF 0.267 |
| 1000+ | CHF 0.229 |
| 5000+ | CHF 0.192 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4447ADY-T1-GE3
Bestellnummer2056685
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id7.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.036ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung4.2W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
- 40V, 7.2A, P-channel TrenchFET® power MOSFET in 8 pin SOIC package
- 100% Rg tested
- 100 % UIS tested
- Suitable for load switches, adaptor switch and notebook PCs
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.2A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
4.2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.036ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000138
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