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HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN1R603PL,L1Q(M
Bestellnummer3872560RL
Auch bekannt alsTPN1R603PL, TPN1R603PL,L1Q
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
100+ | CHF 0.484 |
500+ | CHF 0.369 |
1000+ | CHF 0.308 |
5000+ | CHF 0.277 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN1R603PL,L1Q(M
Bestellnummer3872560RL
Auch bekannt alsTPN1R603PL, TPN1R603PL,L1Q
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id80A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0012ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0012ohm
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung104W
Verlustleistung Pd104W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0012ohm
Bauform - Transistor
TSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0012ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Verlustleistung Pd
104W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung