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TPN1R603PL,L1Q(M
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN1R603PL,L1Q(M
Bestellnummer3872560
Auch bekannt alsTPN1R603PL, TPN1R603PL,L1Q
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.950 |
| 10+ | CHF 0.641 |
| 100+ | CHF 0.484 |
| 500+ | CHF 0.369 |
| 1000+ | CHF 0.308 |
| 5000+ | CHF 0.277 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTPN1R603PL,L1Q(M
Bestellnummer3872560
Auch bekannt alsTPN1R603PL, TPN1R603PL,L1Q
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0012ohm
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung104W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Bauform - Transistor
TSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0012ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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