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STD30NF06LT4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD30NF06LT4
Bestellnummer4319984
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 53 Woche(n)
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| Menge | |
|---|---|
| 2500+ | CHF 0.638 |
| 7500+ | CHF 0.558 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 2500
Mehrere: 2500
CHF 1’595.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD30NF06LT4
Bestellnummer4319984
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung2.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V
Verlustleistung70W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
2.5V
Verlustleistung
70W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.7V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000541
Produktnachverfolgung