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STD30NF06LT4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD30NF06LT4
Bestellnummer1752032RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.713 |
| 500+ | CHF 0.564 |
| 1000+ | CHF 0.514 |
| 5000+ | CHF 0.458 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD30NF06LT4
Bestellnummer1752032RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung2.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V
Verlustleistung70W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
STD30NF06LT4 ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit STripFET™II-Technologie, der mithilfe des einzigartigen Single Feature Size-Strip-basierten Verfahrens hergestellt wird. Der daraus entstandene Transistor zeichnet sich durch eine äußerst hohe Packungsdichte für niedrigen Durchlasswiderstand und ein robustes Avalanche-Verhalten aus. Zudem sind weniger kritische Schritte zur Ausrichtung erforderlich, wodurch eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit in der Herstellung erzielt wird.
- Äußerst gutes dV/dt-Verhalten
- Logikpegel-Gate-Treiber
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
2.5V
Verlustleistung
70W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.7V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000541