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L6571BD013TR
Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerL6571BD013TR
Bestellnummer4036068
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.570 |
| 10+ | CHF 1.170 |
| 50+ | CHF 1.060 |
| 100+ | CHF 0.864 |
| 250+ | CHF 0.859 |
| 500+ | CHF 0.853 |
| 1000+ | CHF 0.847 |
| 2500+ | CHF 0.841 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerL6571BD013TR
Bestellnummer4036068
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
Gate-Treiber-
TreiberkonfigurationHalbbrücke
LeistungsschalterIGBT, MOSFET
Anzahl der Pins8Pin(s)
IC-Gehäuse / BauformSOIC
IC-MontageOberflächenmontage
EingangNicht invertierend
Quellstrom170mA
Sinkstrom270mA
Versorgungsspannung, min.10V
Versorgungsspannung, max.16.6V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.125°C
Eingabeverzögerung-
Ausgabeverzögerung-
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
L6571BD013TR is a high voltage half bridge driver with oscillator. The frequency of the oscillator can be programmed using external resistor and capacitor. The internal circuitry of the driver allows by external logic signal. The output driver are designed to drive external N-channel power MOSFET and IGBT. The internal logic assures a dead time to avoid cross conduction of the power devices. They differ internal dead time 1.25μs and 0.72μs (typ).
- High voltage rail upto 600V
- BCD off line technology, case style is SO8
- Zener clamp on Vs is 15.6V
- Driver current capability for sink current is 270mA and for source current is 170mA
- Very low start up current is 150mA
- Undervoltage lockout with hysteresis
- Programmable oscillator frequency
- Dead time is 0.72μs
- dV/dt immunity upto ±50V/ns, ESD protection
- Supply voltage is 10V, operating temperature range is -40°C to 125°C
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Treiberkonfiguration
Halbbrücke
Anzahl der Pins
8Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Quellstrom
170mA
Versorgungsspannung, min.
10V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Eingabeverzögerung
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Treiber
-
Leistungsschalter
IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform
SOIC
Eingang
Nicht invertierend
Sinkstrom
270mA
Versorgungsspannung, max.
16.6V
Betriebstemperatur, max.
125°C
Ausgabeverzögerung
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00008
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