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GD650HFX170P1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD650HFX170P1S
Bestellnummer3549271
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
DC-Kollektorstrom1.073kA
Dauer-Kollektorstrom1.073kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.9V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.9V
Verlustleistung Pd4.2kW
Verlustleistung4.2kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.7kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Kollektorstrom
1.073kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.9V
Verlustleistung
4.2kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.7kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
DC-Kollektorstrom
1.073kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.9V
Verlustleistung Pd
4.2kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.7kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.2