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GD650HFX170P1S
Module IGBT, Demi-pont, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD650HFX170P1S
Code Commande3549271
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Courant Collecteur Continu1.073kA
Courant de collecteur DC1.073kA
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.9V
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.9V
Dissipation de puissance Pd4.2kW
Dissipation de puissance4.2kW
Température de fonctionnement max..150°C
Température, Tj max..150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.7kV
Tension Collecteur Emetteur Max1.7kV
Technologie IGBTTrench Field Stop
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant de collecteur DC
1.073kA
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.9V
Dissipation de puissance
4.2kW
Température, Tj max..
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur Emetteur Max
1.7kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
To Be Advised
Courant Collecteur Continu
1.073kA
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.9V
Dissipation de puissance Pd
4.2kW
Température de fonctionnement max..
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.7kV
Technologie IGBT
Trench Field Stop
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.2