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SH8ME5TB1
Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSH8ME5TB1
Bestellnummer4158116RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal100V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.045ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.07ohm
Bauform - TransistorSOP
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal2W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.07ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2W
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.045ohm
Bauform - Transistor
SOP
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung