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SH8ME5TB1
MOSFET double, Canal N et P, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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|---|---|
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSH8ME5TB1
Code Commande4158116RL
Fiche technique
Type de canalCanal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Tension drain source Vds, Canal P100V
Courant de drain continu Id, Canal N4.5A
Courant de drain continu Id, Canal P4.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.045ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.07ohm
Type de boîtier de transistorSOP
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P2W
Dissipation de puissance, Canal P2W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
100V
Courant de drain continu Id, Canal P
4.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.07ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
2W
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Courant de drain continu Id, Canal N
4.5A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.045ohm
Type de boîtier de transistor
SOP
Dissipation de puissance Canal P
2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits