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QS6M3TR
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.725 |
| 10+ | CHF 0.442 |
| 100+ | CHF 0.320 |
| 500+ | CHF 0.226 |
| 1000+ | CHF 0.200 |
| 5000+ | CHF 0.176 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerQS6M3TR
Bestellnummer1525473
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal1.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.17ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.17ohm
Bauform - TransistorTSMT
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal900mW
Verlustleistung, p-Kanal1.25W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Tragbare Geräte, Motorantrieb & -steuerung
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.17ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.25W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.17ohm
Bauform - Transistor
TSMT
Verlustleistung, n-Kanal
900mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000014