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NP50P04SDG-E1-AY
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerRENESAS
HerstellerteilenummerNP50P04SDG-E1-AY
Bestellnummer3941843RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätp-Kanal
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand9600µohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0077ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung84W
Verlustleistung Pd84W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
9600µohm
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
84W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0077ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Verlustleistung Pd
84W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung