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NP50P04SDG-E1-AY
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 50 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| 500+ | CHF 0.754 |
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantNP50P04SDG-E1-AY
Code Commande3941843RL
Fiche technique
Type de canalCanal P
Polarité transistorCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON9600µohm
Résistance Rds(on)0.0077ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.6V
Dissipation de puissance84W
Dissipation de puissance Pd84W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
9600µohm
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
84W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarité transistor
Canal P
Courant de drain Id
50A
Résistance Rds(on)
0.0077ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.6V
Dissipation de puissance Pd
84W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits