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MMBTH81
Bipolarer HF-Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
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| Menge | |
|---|---|
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| 9000+ | CHF 0.0445 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBTH81
Bestellnummer2438286
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.20V
Übergangsfrequenz600MHz
Verlustleistung225mW
Dauer-Kollektorstrom-50mA
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MMBTH81 is a PNP RF Transistor designed for general RF amplifier and mixer applications to 250mHz with collector currents in the 1 to 30mA range.
- 20V Collector-emitter voltage
- 20V Collector-base voltage
- 3V Emitter-base voltage
- 50mA Continuous collector current
Anwendungen
Industrie, HF-Kommunikation, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Übergangsfrequenz
600MHz
Dauer-Kollektorstrom
-50mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
20V
Verlustleistung
225mW
Bauform - Transistor
SOT-23
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000314
Produktnachverfolgung