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MMBTH81
Bipolarer HF-Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.344 |
| 50+ | CHF 0.242 |
| 100+ | CHF 0.152 |
| 500+ | CHF 0.0942 |
| 1500+ | CHF 0.068 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBTH81
Bestellnummer1467935
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.20V
Übergangsfrequenz600MHz
Verlustleistung225mW
Dauer-Kollektorstrom-50mA
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBTH81 ist ein PNP-HF-Transistor für universelle HF-Verstärker- und Mischeranwendungen bis 250mHz mit Kollektorströmen im Bereich von 1 bis 30mA.
- Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
- Kollektor-Basis-Spannung: 20V
- Emitter-Basis-Spannung: 3V
- Dauer-Kollektorstrom: 50mA
Anwendungen
Industrie, HF-Kommunikation, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Übergangsfrequenz
600MHz
Dauer-Kollektorstrom
-50mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
20V
Verlustleistung
225mW
Bauform - Transistor
SOT-23
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.11
Produktnachverfolgung