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MJB41CT4G
Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
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| Menge | |
|---|---|
| 800+ | CHF 0.488 |
| 2400+ | CHF 0.467 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 800
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJB41CT4G
Bestellnummer4319735
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.100V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN6A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN65W
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.15hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN3MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
100V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
6A
Verlustleistung, NPN
65W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
15hFE
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
3MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung