Seite drucken
MJB41CT4G
Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
1’573 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.670 |
| 10+ | CHF 1.110 |
| 50+ | CHF 0.930 |
| 100+ | CHF 0.751 |
| 250+ | CHF 0.736 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 1.67 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJB41CT4G
Bestellnummer2535623
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.100V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN6A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN65W
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.15hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN3MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The MJB41CT4G is a NPN-PNP complementary silicon Power Transistor with lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves.
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
- Electrically same as TIP41 and T1P42 series
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
100V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
6A
Verlustleistung, NPN
65W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
15hFE
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
3MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung