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NXV04V120DB1
MOSFET-Transistor, AEC-Q101, Sechsfach n-Kanal, 160 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 21.470 |
| 5+ | CHF 19.580 |
| 10+ | CHF 17.700 |
| 50+ | CHF 15.810 |
| 100+ | CHF 15.490 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXV04V120DB1
Bestellnummer3367876
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätSechsfach n-Kanal
KanaltypSechsfach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id160A
Drain-Source-Spannung Vds40V
Betriebswiderstand, Rds(on)850µohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand850µohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung Pd-
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Sechsfach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
160A
Betriebswiderstand, Rds(on)
850µohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
-
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Kanaltyp
Sechsfach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
850µohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Verlustleistung
-
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85429000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung