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FJP5027OTU
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.570 |
| 10+ | CHF 0.635 |
| 100+ | CHF 0.587 |
| 500+ | CHF 0.471 |
| 1000+ | CHF 0.454 |
| 5000+ | CHF 0.436 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFJP5027OTU
Bestellnummer3003916
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.800V
Dauer-Kollektorstrom3A
Verlustleistung50W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz15MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.20hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
20hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
800V
Verlustleistung
50W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
15MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003012
Produktnachverfolgung