BFU590GX
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.924 |
| 10+ | CHF 0.685 |
| 100+ | CHF 0.552 |
| 500+ | CHF 0.496 |
| 1000+ | CHF 0.476 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Der BFU590GX ist ein NPN-Breitband-Silizium-HF-Transistor, der für High-Speed-Anwendungen im mittleren Leistungsbereich ausgelegt und in einem 4-poligen SOT223-Kunststoffgehäuse untergebracht ist. Der BFU590G gehört zur Transistorfamilie BFU5, die für Kleinsignalanwendungen bis hin zu Anwendungen mit mittlerer Leistung bis 2GHz geeignet ist. Typische Anwendungen umfassen: Kfz-Elektronik, Breitbandverstärker, Verstärker mit mittlerer Leistung (500mW bei einer Frequenz von 433MHz oder 866MHz) und Großsignalverstärker für ISM-Anwendungen.
- Kollektor-Basis-Spannung: 24V; Kollektor-Emitter-Spannung: 12V; Emitter-Basis-Spannung: 2V
- Für mittlerer Leistung ausgelegter HF-Transistor mit hoher Linearität und hoher Durchbruchspannung
- DC-Verstärkung: typ. 95
- Stabile Verstärkung: max. 13dB bei 900MHz
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Ausgangsleistung bei 1dB-Verstärkungskompression (PL1dB): 21.5dBm bei 900MHz
- Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
NPN
8.5GHz
200mA
4Pin(s)
Oberflächenmontage
-
MSL 1 - unbegrenzt
12V
2W
SOT-223
60hFE
150°C
AEC-Q101
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat