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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT60B2G8HB-56B:G
Bestellnummer4050892
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungDDR5
Speicherdichte16Gbit
Speicherkonfiguration2G x 8 Bit
Taktfrequenz, max.2.8GHz
IC-Gehäuse / BauformFBGA
Anzahl der Pins82Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-
Betriebstemperatur, max.95°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
- 16Gb DDR5 SDRAM IC
- 2Gig x 8 configuration, packaging style is 82-ball 9.0mm x 11.0mm FBGA
- Timing cycle time is 0.357ns at CL = 46
- VDD (VDDQ) = 1.1V (NOM), operating temperature is 0°C to 95°C
- VPP= 1.8V (NOM), on-die, internal, adjustable VREF generation for DQ, CA, CS
- 1.1V pseudo open-drain I/O, 1cycle/2 cycle command structure
- 2N mode, multi-purpose command (MPC)
- CS/CA training mode, on-die ECC (bounded fault), JEDEC JESD-79.5 compliant
- ECC transparency and error scrub, decision feedback equalization (DFE)
- Loopback mode, sPPR and hPPR capability, per-DRAM addressability
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
DDR5
Speicherkonfiguration
2G x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
FBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-
Produktpalette
-
Speicherdichte
16Gbit
Taktfrequenz, max.
2.8GHz
Anzahl der Pins
82Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001