IRF540NSTRRPBF

Beim Modell IRF540NSTRRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein zum Einsatz in zahlreichen Anwendungen. Das SMD-Gehäuse kann Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand aller bestehenden SMD-Gehäuse. Es eignet sich für Hochstromanwendungen, da es einen niedrigen internen Anschlusswiderstand und eine Verlustleistung von bis zu 2W in einer typischen SMD-Anwendung aufweist.

• Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
• Äußerst niedriger Durchgangswiderstand (RDS(on))
• Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
• Hohe Schaltfrequenz
• Vollständig Avalanche-fähig

Anwendungen

Power-Management

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab