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IPD110N12N3GATMA1

Name: INFINEON IPD110N12N3GATMA1
Brand: INFINEON
SKU: 2212834RL
Availability: InStock

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerINFINEON

HerstellerteilenummerIPD110N12N3GATMA1

Bestellnummer2212834RL

Auch bekannt alsIPD110N12N3 G, SP001127808

Technisches Datenblatt

Data Sheet

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Menge
100+	CHF 1.020
500+	CHF 0.851
1000+	CHF 0.827
5000+	CHF 0.695

Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)

Minimum: 100

Mehrere: 1

CHF 107.00 (ohne MwSt.)

Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von CHF 5.00 an

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Produktspezifikationen

HerstellerINFINEON

HerstellerteilenummerIPD110N12N3GATMA1

Bestellnummer2212834RL

Auch bekannt alsIPD110N12N3 G, SP001127808

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Kanaltypn-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds120V

Dauer-Drainstrom Id75A

Drain-Source-Durchgangswiderstand0.011ohm

Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)

TransistormontageOberflächenmontage

Rds(on)-Prüfspannung10V

Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V

Verlustleistung136W

Anzahl der Pins3Pin(s)

Betriebstemperatur, max.175°C

Produktpalette-

Qualifikation-

MSLMSL 3 - 168 Stunden

SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Produktbeschreibung

Beim Modell IPD110N12N3 G handelt es sich um einen OptiMOS™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der den branchenweit niedrigsten Durchgangswiderstand (RDS(on)) und die höchsten Schaltfrequenzen bietet, wodurch eine herausragende Leistung in zahlreichen Anwendungen erzielt wird. Die 120V-OptiMOS™-Technologie bietet neue Möglichkeiten für optimierte Lösungen.

Hervorragende Schaltleistung
Niedrigster Durchgangswiderstand RDS(on)
Sehr niedrige Qg und Qgd
Hervorragendes Gateladung x RDS (ON)-Produkt (FOM)
Halogenfrei, umweltfreundlich
Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
MSL1-Einstufung 2

Anwendungen

Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Audio, Kommunikation & Netzwerke, Industrie

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id

75A

Bauform - Transistor

TO-252 (DPAK)

Rds(on)-Prüfspannung

10V

Verlustleistung

136W

Betriebstemperatur, max.

175°C

Qualifikation

SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Drain-Source-Spannung Vds

120V

Drain-Source-Durchgangswiderstand

0.011ohm

Transistormontage

Oberflächenmontage

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

Anzahl der Pins

3Pin(s)

Produktpalette

MSL

MSL 3 - 168 Stunden

Technische Dokumente (3)

Application Note EN

Simulation Model EN

Technical Data Sheet EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.0003

Produktnachverfolgung