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IPD110N12N3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD110N12N3GATMA1
Code Commande2212834RL
Egalement appeléIPD110N12N3 G, SP001127808
Fiche technique
25’766 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.020 |
| 500+ | CHF 0.851 |
| 1000+ | CHF 0.827 |
| 5000+ | CHF 0.695 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 107.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD110N12N3GATMA1
Code Commande2212834RL
Egalement appeléIPD110N12N3 G, SP001127808
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds120V
Courant de drain Id75A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.011ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance136W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
The IPD110N12N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to JEDEC for target application
- MSL1 rated 2
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
75A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
136W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
120V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.011ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits