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IPD053N08N3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD053N08N3GATMA1
Bestellnummer1775574
ProduktpaletteOptiMOS 3 Series
Auch bekannt alsIPD053N08N3 G, SP001127818
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.470 |
| 10+ | CHF 1.180 |
| 100+ | CHF 0.987 |
| 500+ | CHF 0.920 |
| 1000+ | CHF 0.899 |
| 5000+ | CHF 0.876 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 1.47 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD053N08N3GATMA1
Bestellnummer1775574
ProduktpaletteOptiMOS 3 Series
Auch bekannt alsIPD053N08N3 G, SP001127818
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id90A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0053ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung150W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 3 Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IPD053N08N3 G ist ein n-Kanal-OptiMOS™ 3-Leistungs-Transistor mit herausragendem Wärmewiderstand und hervorragender Gütezahl (Gate-Ladung x RDS(ON)). Der Transistor bietet eine optimierte Technologie für DC/DC-Wandler und ist ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und Synchrongleichrichtung.
- Dual sided cooling
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Kommunikation & Netzwerke, Motorantrieb & -steuerung
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
90A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
150W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0053ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPD053N08N3GATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00042
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