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IGC025S08S1XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGC025S08S1XTMA1
Bestellnummer4680816RL
Auch bekannt alsIGC025S08S1, SP006027447
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 2.230 |
| 500+ | CHF 1.870 |
| 1000+ | CHF 1.600 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGC025S08S1XTMA1
Bestellnummer4680816RL
Auch bekannt alsIGC025S08S1, SP006027447
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id86A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0025ohm
Gate-Ladung, typ.12nC
Anzahl der Pins6Pin(s)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0025ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
86A
Gate-Ladung, typ.
12nC
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung