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IGC025S08S1XTMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGC025S08S1XTMA1
Code Commande4680816RL
Egalement appeléIGC025S08S1, SP006027447
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 2.230 |
| 500+ | CHF 1.870 |
| 1000+ | CHF 1.600 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 150
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGC025S08S1XTMA1
Code Commande4680816RL
Egalement appeléIGC025S08S1, SP006027447
Fiche technique
Tension Vds max..80V
Courant de drain Id86A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0025ohm
Charge de porte Typique12nC
Nombre de broches6Broche(s)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0025ohm
Nombre de broches
6Broche(s)
Courant de drain Id
86A
Charge de porte Typique
12nC
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits