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BSZ0909NDXTMA1
Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A, 0.0145 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSZ0909NDXTMA1
Bestellnummer2771840
Auch bekannt alsBSZ0909ND, SP001637282
Technisches Datenblatt
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSZ0909NDXTMA1
Bestellnummer2771840
Auch bekannt alsBSZ0909ND, SP001637282
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0145ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0145ohm
Bauform - TransistorWISON
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal17W
Verlustleistung, p-Kanal17W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
The BSZ0909NDXTMA1 from Infineon is a dual N-channel OptiMOS™ MOSFET in 8 pin WISON package. The OptiMOS™ technology combined with the PQFN 3x3 package offers an optimized solution for DC to DC applications with space critical requirements. The BSZ0909ND fits perfectly in wireless charging or drives (e.g. multicopter) architectures where designers target to simplify the layout and significantly save space without compromising on efficiency.
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- Avalanche rated
- Low switching losses
- High switching frequency operation
- Lowest parasitics
- Low gate drive losses
- Drain source voltage VDS is 30V, maximum RDS(on) is 18mohm, continuous drain current ID is 20A
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Power dissipation is 17W at TC=25°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0145ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
17W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0145ohm
Bauform - Transistor
WISON
Verlustleistung, n-Kanal
17W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003