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BSZ0909NDXTMA1
MOSFET double, Canal N, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A, 0.0145 ohm
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ0909NDXTMA1
Code Commande2771840
Egalement appeléBSZ0909ND, SP001637282
Fiche technique
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ0909NDXTMA1
Code Commande2771840
Egalement appeléBSZ0909ND, SP001637282
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N20A
Courant de drain continu Id, Canal P20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0145ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0145ohm
Type de boîtier de transistorWISON
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P17W
Dissipation de puissance, Canal P17W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
The BSZ0909NDXTMA1 from Infineon is a dual N-channel OptiMOS™ MOSFET in 8 pin WISON package. The OptiMOS™ technology combined with the PQFN 3x3 package offers an optimized solution for DC to DC applications with space critical requirements. The BSZ0909ND fits perfectly in wireless charging or drives (e.g. multicopter) architectures where designers target to simplify the layout and significantly save space without compromising on efficiency.
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- Avalanche rated
- Low switching losses
- High switching frequency operation
- Lowest parasitics
- Low gate drive losses
- Drain source voltage VDS is 30V, maximum RDS(on) is 18mohm, continuous drain current ID is 20A
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Power dissipation is 17W at TC=25°C
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0145ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
17W
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0145ohm
Type de boîtier de transistor
WISON
Dissipation de puissance Canal P
17W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003