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G3R60MT07J
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerGENESIC
HerstellerteilenummerG3R60MT07J
Bestellnummer4218063
ProduktpaletteG3R Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.130 |
| 5+ | CHF 7.770 |
| 10+ | CHF 7.390 |
| 50+ | CHF 7.120 |
| 100+ | CHF 6.720 |
| 250+ | CHF 6.470 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 8.13 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerGENESIC
HerstellerteilenummerG3R60MT07J
Bestellnummer4218063
ProduktpaletteG3R Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id44A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.06ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung182W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteG3R Series
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.06ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
182W
Produktpalette
G3R Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Switzerland
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Switzerland
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00145