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G3R60MT07J
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R60MT07J
Code Commande4218063
Gamme de produitG3R Series
Fiche technique
486 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.130 |
| 5+ | CHF 7.770 |
| 10+ | CHF 7.390 |
| 50+ | CHF 7.120 |
| 100+ | CHF 6.720 |
| 250+ | CHF 6.470 |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R60MT07J
Code Commande4218063
Gamme de produitG3R Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id44A
Tension Drain-Source Vds750V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.06ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance182W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitG3R Series
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
44A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.06ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
750V
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
182W
Gamme de produit
G3R Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Switzerland
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Switzerland
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00145