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DMT10H9M9SH3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84 A, 0.0074 ohm, TO-251 (IPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.370 |
| 10+ | CHF 1.170 |
| 100+ | CHF 0.613 |
| 500+ | CHF 0.612 |
| 1000+ | CHF 0.611 |
| 5000+ | CHF 0.610 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 1.37 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMT10H9M9SH3
Bestellnummer3702803
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id84A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0074ohm
Bauform - TransistorTO-251 (IPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung114W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
84A
Bauform - Transistor
TO-251 (IPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
114W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0074ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung