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DMT10H9M9SH3
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 84 A, 0.0074 ohm, TO-251 (IPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.370 |
| 10+ | CHF 1.170 |
| 100+ | CHF 0.613 |
| 500+ | CHF 0.612 |
| 1000+ | CHF 0.611 |
| 5000+ | CHF 0.610 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.37 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT10H9M9SH3
Code Commande3702803
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id84A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0074ohm
Type de boîtier de transistorTO-251 (IPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance114W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
84A
Type de boîtier de transistor
TO-251 (IPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
114W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0074ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits