LTC4376HDHD#PBF

LTC4376 ist eine ideale Diode für 7A, die einen internen n-Kanal-MOSFET mit 15 MOhm verwendet und bei Dioden-OR- und Hochstrom-Dioden-Anwendungen als Ersatz für eine Schottky-Diode dient. Dieser Baustein reduziert den Stromverbrauch, die Wärmeableitung und den Platzverbrauch auf der Leiterplatte. Er regelt den Durchlassspannungsabfall über den internen MOSFET, um eine nahtlose Strombereitstellung ohne Schwingungen auch bei kleinen Lasten zu gewährleisten. Bei Ausfall oder Kurzschluss einer Stromquelle minimiert eine schnelle Abschaltung das Auftreten von Stromtransienten in Sperrrichtung. Zudem werden Stromquellen einfach durch eine OR-Operation verknüpft, um die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems zu steigern. Dank seiner niedrigen Betriebsspannung, kompakten Größe und der Fähigkeit, Eingangsspannungen in Sperrrichtung standzuhalten, ist dieser Baustein eine besonders gute Lösung für tragbare akku-/batteriebetriebene Anwendungen. Wird ein externer MOSFET mit dem internen MOSFET als Back-to-Back-Konfiguration in Reihe geschaltet, so kann der SHDN-Pin auch den Verlauf des Durchlassstroms steuern. Typische Anwendungen umfassen: Fahrzeugbatterieschutz, redundante Stromversorgungen, tragbare akku-/batteriebetriebene Geräte, Computer-Systeme/Server.

• Großer Betriebsspannungsbereich: 4V bis 40V
• Schutz vor Eingangsspannung in Sperrrichtung bis -40V
• Reibungsloses Umschalten ohne Oszillation
• Niedriger Betriebsstrom: typ. 150μA (INK = 12V, TA = 25°C, VINK = 4V bis 40V, VIN = VINK)
• Abschaltstrom: typ. 9µA (INK = OUTK = 12V, SHDN = 0V, TA = 25°C)
• Spitzen-Avalanche-Strom: typ. 40A (L = 0.1mH, TA = 25°C, VINK = 4V bis 40V)
• Sperrschicht-Betriebstemperatur: -40°C bis 125°C
• 16-poliges DFN-Kunststoffgehäuse

Hinweise

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