Seite drucken
74437529203101
Leistungsinduktivität (SMD), 100 µH, 11.2 A, Geschirmt, 9.4 A, WE-HCF Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerWURTH ELEKTRONIK
Herstellerteilenummer74437529203101
Bestellnummer2842196
ProduktpaletteWE-HCF Series
Technisches Datenblatt
19 auf Lager
20 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.050 |
| 10+ | CHF 7.550 |
| 20+ | CHF 6.620 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 8.05 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerWURTH ELEKTRONIK
Herstellerteilenummer74437529203101
Bestellnummer2842196
ProduktpaletteWE-HCF Series
Technisches Datenblatt
Induktivität100µH
RMS-Strom Irms11.2A
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)9.4A
Bauform - Leistungsinduktivität28mm x 25mm x 20.5mm
ProduktpaletteWE-HCF Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität-
DC-Widerstand, max.0.0229ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge28mm
Produktbreite25mm
Produkthöhe20.5mm
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Die SMD-Hochstrominduktivitäten der Produktreihe WE-HCF von Würth Elektronik mit PQ-Kern (MnZn) sind in den Gehäusegrößen 2013, 2818 und 2815 mit Flachdraht sowie in der Gehäusegröße 2920 mit Litzen- und Runddraht erhältlich. Die Induktivitäten der Produktreihe WE-HCF bieten einen Sättigungsstrom von bis zu 125A und Induktivitätswerte von 0.7µH bis 680µH. Die Ausführungen mit Litzen- und Runddraht verfügen über eine Trägerplatte aus Kunststoff für bessere Koplanarität und mechanische Stabilität.
- Sättigungsstrom: bis zu 125A
- Auswahl an Flach-, Rund- und Litzendraht zur Optimierung der DC- und AC-Verluste
- Induktivitätswerte: 0.7µH bis 680µH
- Geringe Kernverluste (MnZn)
- Magnetisch geschirmt
- Litz- und Runddraht: Trägerplatte für planare SMD-Bestückung
- Betriebstemperatur: -40°C bis +125°C
Technische Spezifikationen
Induktivität
100µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Bauform - Leistungsinduktivität
28mm x 25mm x 20.5mm
Bauform/Gehäuse der Induktivität
-
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
25mm
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
RMS-Strom Irms
11.2A
Sättigungsstrom (Isat)
9.4A
Produktpalette
WE-HCF Series
DC-Widerstand, max.
0.0229ohm
Produktlänge
28mm
Produkthöhe
20.5mm
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.037867
Produktnachverfolgung