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C3M0120090J
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
Ist nicht mehr auf Lager.
Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerC3M0120090J
Bestellnummer2630826
ProduktpaletteC2M
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id22A
Drain-Source-Spannung Vds900V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.12ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.1V
Verlustleistung83W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteC2M
Alternativen für C3M0120090J
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.12ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.1V
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
900V
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
83W
Produktpalette
C2M
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002223
Produktnachverfolgung