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C2M1000170J
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 9.660 |
| 5+ | CHF 8.590 |
| 10+ | CHF 7.520 |
| 50+ | CHF 5.570 |
| 100+ | CHF 5.560 |
| 250+ | CHF 5.550 |
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Produktspezifikationen
HerstellerWOLFSPEED
HerstellerteilenummerC2M1000170J
Bestellnummer2630824
ProduktpaletteC2M
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id5.3A
Drain-Source-Spannung Vds1.7kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand1ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.6V
Verlustleistung78W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteC2M
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternativen für C2M1000170J
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
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Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.6V
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.7kV
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
78W
Produktpalette
C2M
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003048