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C2M0025120D

Name: Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
Brand: WOLFSPEED
SKU: 2422213
Availability: InStock

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerWOLFSPEED

HerstellerteilenummerC2M0025120D

Bestellnummer2422213

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Produktspezifikationen

HerstellerWOLFSPEED

HerstellerteilenummerC2M0025120D

Bestellnummer2422213

Technisches Datenblatt

Data Sheet

MOSFET-Modul-KonfigurationEins

Kanaltypn-Kanal

Dauer-Drainstrom Id90A

Drain-Source-Spannung Vds1.2kV

Drain-Source-Durchgangswiderstand0.025ohm

Bauform - TransistorTO-247

Anzahl der Pins3Pin(s)

Rds(on)-Prüfspannung20V

Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.4V

Verlustleistung463W

Betriebstemperatur, max.150°C

Produktpalette-

MSL-

SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)

Produktbeschreibung

Beim Modell C2M0025120D von Cree handelt es sich um einen Z-FET-n-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET der 2. Generation in TO-247-Gehäuse zur Durchsteckmontage. Dieser MOSFET verwendet die C2M SiC MOSFET-Technologie und bietet eine hohe Sperrspannung mit niedrigem Durchgangswiderstand, hohe Schaltfrequenzen mit niedrigen Kapazitäten, einen einfachen parallelen Betrieb und eine einfache Ansteuerung, eine Avalanche-Festigkeit, eine Beständigkeit gegen Latch-Up, einen höheren Systemwirkungsgrad, einen reduzierten Kühlbedarf und eine höhere Leistungsdichte. Anwendungsbereiche umfassen Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, Hochspannungs-DC/DC-Wandler und Ladegeräte.

Drain/Source-Spannung (Vds): 1.2kV
Dauer-Drainstrom: 90A
Verlustleistung: 463W
Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C
Niedriger Durchgangswiderstand: 25 mOhm bei Vgs=20V

Anwendungen

Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie, Motorantrieb & -steuerung, Alternative Energien

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab

Technische Spezifikationen

MOSFET-Modul-Konfiguration

Eins

Dauer-Drainstrom Id

90A

Drain-Source-Durchgangswiderstand

0.025ohm

Anzahl der Pins

3Pin(s)

Gate-Source-Schwellenspannung, max.

2.4V

Betriebstemperatur, max.

150°C

MSL

Kanaltyp

n-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds

1.2kV

Bauform - Transistor

TO-247

Rds(on)-Prüfspannung

20V

Verlustleistung

463W

Produktpalette

SVHC

No SVHC (15-Jan-2019)

Technische Dokumente (2)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Y-Ex

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja