C2M0025120D
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 85.050 |
| 5+ | CHF 78.140 |
| 10+ | CHF 71.220 |
| 50+ | CHF 70.020 |
Informations produit
Aperçu du produit
Le C2M0025120D de Cree est un MOSFET de puissance Z-FET de 2ème génération, traversant, carbure de silicium à canal N dans un boîtier TO-247. Ce MOSFET dispose de la technologie C2M SiC MOSFET, d'une forte tension de blocage avec une faible résistance, d'une commutation à grande vitesse avec de faibles capacités, facile à parallèle et simple à conduire, robustesse à l'avalanche, résistant au verrouillage, efficacité système supérieure, exigences de refroidissement réduites et densité de puissance accrue . Les applications incluent les onduleurs solaires, les alimentations à découpage, les convertisseurs DC-DC haute tension et les chargeurs de batterie.
- Tension Drain/Source (Vds) de 1,2kV
- Courant de drain continue de 90A
- Dissipation de puissance de 463W
- Température de jonction de fonctionnement de -55°C à 150°C
- Faible résistance On state de 25mohm avec Vgs de 20V
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Simple
90A
0.025ohm
3Broche(s)
2.4V
150°C
-
Canal N
1.2kV
TO-247
20V
463W
-
No SVHC (15-Jan-2019)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
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RoHS
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