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VEMT2023SLX01
Fototransistor, 860 nm, 70 °, 2 Pin(s), SMD
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.780 |
| 10+ | CHF 0.506 |
| 25+ | CHF 0.470 |
| 50+ | CHF 0.434 |
| 100+ | CHF 0.398 |
| 500+ | CHF 0.335 |
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Produktbeschreibung
VEMT2023SLX01 ist ein NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Fototransistor in einem SMD-Gehäuse in Miniaturausführung mit seitlicher Abstrahlung. Dieser Baustein hat eine kuppelförmige Linse und einen Tageslicht-Sperrfilter. Die Filterbandbreite ist abgestimmt auf 830- bis 950nm-IR-Emitter.
- SMD-Gehäuse
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Hohe Strahlungsempfindlichkeit
- Tageslicht-Sperrfilter ist passend für IR-Emitter mit 830 bis 950nm
- Kurze Ansprechzeit
- Winkel für halbe Empfindlichkeit ϕ = ± 35°
- Gehäuse passend für IR-Emitter der Produktreihe VSMB2943SLX01
- Lagerfähigkeit: 4 Wochen, MSL 2a, gemäß J-STD-020
- Bleifreies Reflow-Löten
Anwendungen
Sensortechnik, Fahrzeugelektronik, Industrie
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
860nm
Stromverbrauch
-W
Bauform - Transistor
SMD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Abstrahlwinkel
70°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 2A - 4 Wochen
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907
Produktnachverfolgung