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SUD25N15-52-E3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.400 |
| 10+ | CHF 1.640 |
| 100+ | CHF 1.320 |
| 500+ | CHF 1.210 |
| 1000+ | CHF 1.130 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUD25N15-52-E3
Bestellnummer1470145
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.052ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung100W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
- N-channel 150V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 175 °C junction temperature
- PWM optimized
- 100% Rg tested
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
25A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
100W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.052ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SUD25N15-52-E3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000556
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