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HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQS966ENW-T1_GE3
Bestellnummer2932992RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
100+ | CHF 0.500 |
500+ | CHF 0.397 |
1000+ | CHF 0.347 |
5000+ | CHF 0.320 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQS966ENW-T1_GE3
Bestellnummer2932992RL
ProduktpaletteTrenchFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.028ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.028ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal27.8W
Verlustleistung, p-Kanal27.8W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET Series
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.028ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
27.8W
Produktpalette
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.028ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Verlustleistung, n-Kanal
27.8W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000082
Produktnachverfolgung