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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 0.752 |
10+ | CHF 0.530 |
100+ | CHF 0.363 |
500+ | CHF 0.299 |
1000+ | CHF 0.262 |
5000+ | CHF 0.230 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQS414CENW-T1_GE3
Bestellnummer3677853
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.023ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212-8W
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung33W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
Produktbeschreibung
- Automotive N-channel 60V (D-S) 175°C MOSFET in PowerPAK 1212-8W package
- TrenchFET® power MOSFET
- AEC-Q101 qualified
- 100% Rg and UIS tested
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212-8W
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
33W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.023ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für SQS414CENW-T1_GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung